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トランジスタは、高速アンプや高速スイッチの能動部品としてよく使用されます。 2つのデータトランジスタの外観は似ていますが、それらすべてが同じ内部回路を使用しているわけではありません。一例として、ＭＯＳＦＥＴと比較すると、ダーリントン対で使用するように設計されているバイポーラ接合トランジスタは、電圧が印加されたときに異なる挙動をする。
電界効果トランジスタ
トランジスタには、電界効果トランジスタとバイポーラ接合トランジスタの2種類があります。電界効果トランジスタは電圧制御デバイスです。それはそれが電界を作り出すためにゲートに印加された電圧を使うということです。この電界はトランジスタの他の部分を通る電流を制御する。
バイポーラ接合トランジスタ
バイポーラ接合トランジスタは電流制御装置である。電圧差がベース端子とエミッタ端子との間に印加されると、それらの間に電流が流れ始める。それはトランジスタが他の端子を通して電流を流すことを可能にする。
ダーリントンペアバイポーラ接合トランジスタ
「ダーリントン対」は、ＡＣ信号を増幅するために使用される電子回路である。 ２つのバイポーラ接合トランジスタがダーリントン対回路に接続されているとき、信号の利得は第１のトランジスタの利得に第２のトランジスタの利得を乗じたものに等しい。各トランジスタが入力電圧の100倍で信号を増幅できる場合、ダーリントンペアは入力電圧を最大10,000倍まで増幅できます。実際的には、電圧の利得が各トランジスタの最大電圧制限を超えることはありません。ただし、AC信号が小さい場合は、ダーリントンペア回路によって信号サイズが大幅に増加する可能性があります。ダーリントン対を生成するという特定の目的のために設計されたバイポーラ接合トランジスタは、通常「ダーリントントランジスタ」と呼ばれる。
NチャネルMOSFET
ＭＯＳＦＥＴは、ゲート端子とトランジスタのソース領域との間に酸化シリコン絶縁体を用いて構成された特殊なタイプの電界効果トランジスタである。最初のMOSFETは、ゲートに金属端子を使用していました。これは、MOSFETが「金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ」または略称としてMOSFETと呼ばれていた場所です。 。最近のいくつかのＭＯＳＦＥＴは、金属の代わりに多結晶シリコンでできているゲート端子を使用している。 ＮチャネルＭＯＳＦＥＴは、Ｎ型不純物がドープされたソース領域を有し、このような領域はＰ型基板に注入される。電圧がゲートに印加されると、トランジスタはソース領域を介して電流を伝導し、それによってトランジスタを接続することが可能になる。ゲート端子に電圧が印加されていないとき、この領域は電流の伝導を停止し、それによってトランジスタがオフにされる。